一、影響蒸鍍型氧（yǎng）化（huà）矽（guī）阻隔性包裝薄膜性能的因素

蒸鍍基膜、蒸鍍方（fāng）法、蒸鍍（dù）條件以及蒸鍍塗層的組成、蒸鍍層的厚度等，都可能對蒸鍍型氧化（huà）矽阻隔性包裝（zhuāng）薄膜的性能產生巨大的影（yǐng）響，主要可以列舉如下。www.y-jr.com南京丝瓜污视频精工阻（zǔ）隔膜生產線

1.基材的選擇性
如前所述，蒸鍍型氧化矽阻隔（gé）性包裝薄膜的阻（zǔ）隔（gé）性依靠於（yú）SiOx塗層，因此在蒸煮處理過程中，不能破壞（huài）該塗層。蒸鍍型氧（yǎng）化矽阻（zǔ）隔性包裝薄膜通常（cháng）與其他薄膜複合，製造蒸煮薄膜，選擇蒸煮基材應當注（zhù）意如（rú）下幾個問題。

（1)塑料薄膜的類型

蒸鍍的氧化矽膜與塑料薄膜之間的黏合牢度與塑料基膜種類之間有較大的關係，PET、PVC等極性較大的薄膜與氧化矽（guī）間的黏合性較佳，而非極性的薄膜（mó），與氧化矽間的黏合力（lì）則比較差。

（2)塑料薄膜表麵（miàn）狀態（tài）

蒸鍍型氧化矽阻（zǔ）隔性包裝薄膜的阻隔性，除了（le）受蒸鍍層的厚度影響（xiǎng）之外，更大程度（dù）上（shàng）決定於氧化矽鍍層的均勻性。裂（liè）縫（féng）、針孔等缺欠，會導致蒸鍍型氧化矽阻隔性包裝薄膜的阻隔性明顯下降，缺陷的形（xíng）成除了蒸鍍層本身的化學成分與結（jié）構之外，所用基膜的表麵平滑性，也是一個重要因素，粗糙度越大，越容易造成蒸鍍缺陷（xiàn），但適（shì）量的（de）粗糙度會使蒸鍍層和基（jī）膜的表麵之間形（xíng）成物理錨接，改善層間黏合力。

（3)塑料薄膜（mó）的表（biǎo）麵預處（chù）理狀況

為了（le）得到優質的蒸鍍薄膜，對基膜（mó）進行適度的表麵電暈處理是十分必要的。塑料薄膜經過表麵電暈處理，可在其表麵形成氧化層（通過交聯、臭氧化（huà）、羧基化（huà）、硝基化等多種複雜的化學反應，將氧、氮等原子（zǐ）及原子團引入到塑（sù）料薄膜的表麵上），增大基膜與蒸鍍塗層之間的結合力。在預處理設備一（yī）定的情況下，如果（guǒ）預處理時間不足，表麵改性不充分，將導致基膜與塗層之間（jiān）的結合牢度下降；預處理時間過長，可能引起基膜較深層次的界麵弱化，產生基膜自身的弱界麵（miàn）層，也會引起基材表麵和蒸鍍層（céng）間的結合力下降（jiàng）。
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2.蒸鍍工藝條件對蒸鍍型氧（yǎng）化矽阻隔性包裝薄膜性能（néng）的影響

不論采用物理蒸鍍（dù）或者化學蒸鍍，蒸鍍工藝條件都可能對蒸鍍型氧化（huà）矽阻隔（gé）性包裝薄膜的性能產生顯著的影響，因此應當盡可能采用有利於提高蒸鍍薄膜阻隔性的工藝條件。

（1)采用物理蒸鍍（dù）時，

真空度的高低、基材薄膜的溫度、電子（zǐ）槍的功率、蒸鍍原料SiO2的形狀、真空室中氧氣導入的速度、蒸鍍塗層的厚度（決定於蒸鍍時間與蒸發功（gōng）率）等均會影響最（zuì）終產品的性能。

①蒸鍍時真空度越高，越有利（lì）於SiO2的蒸發，製得的蒸（zhēng）鍍膜的質量越（yuè）高。

②蒸鍍時塑料基膜的溫度高（gāo），有利於蒸（zhēng）發的SiO,在塑（sù）料基膜上沉積、形成致密的塗層並有利於提高蒸鍍層（céng）與塑料基膜間的黏結度，因此適（shì）當提高塑料基膜（mó）的溫度，有利於提高蒸鍍薄膜的質量。

③采用電子槍轟（hōng）擊、蒸發SiO2時，宜使用塊狀的SiO2,因為粉狀的SiO2在受電子槍轟擊時，易產生粉末濺射現象，影響蒸鍍膜的質量（liàng），而粉（fěn）狀SiO2則有利於電阻加熱（rè）蒸發。

④氧氣的導入速度影（yǐng）響（xiǎng）蒸鍍層的組成，即SiOx中Si原子數與0原子數的比值，氧的量（liàng）越（yuè）大，即x的值越大，蒸鍍層向透明（míng）性提高的方向移動，但阻隔性有降低的趨勢。當x等於2時，得到阻隔性能差的、無（wú）色透明的（de）蒸鍍層，通常x控製在1.5~1.8之間以獲得（dé）兼具高阻隔性及良好透明性的蒸鍍氧化矽薄膜。www.y-jr.com南京丝瓜污视频精工阻隔（gé）膜生產線

蒸（zhēng）鍍層的厚度增加，蒸鍍膜的阻隔性增加，但當蒸鍍層的厚度超過50nm時，蒸鍍層的厚度再進一步增大（dà），蒸鍍膜的阻隔（gé）性基本保持不（bú）變，因此不（bú）能指（zhǐ）望依靠降低生產線的線速度（增加蒸鍍時（shí）間）、增加蒸鍍層的厚度的辦法，無限度地提高蒸鍍薄膜的阻隔性。

（2)化學蒸鍍中，高頻電磁波或微波頻率的（de）選擇，應與離子化氣氛中的離子（zǐ）化能量以及蒸鍍材料離子化所需（xū）要的能量相匹配（pèi），高頻電磁波一般選用13.56MHz,微波（bō）一般選用2.45MHz,真空度在10-2Pa左右即可獲得（dé）優良的蒸鍍效果（guǒ），而（ér）物理蒸鍍時則需要更（gèng）高的真空度，即10-2~10-3Pa或者更高的（de）真空度。

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