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發布日期:2023-7-6 發布者:丝瓜污视频精工
阻隔膜

一、影響蒸(zhēng)鍍型氧化(huà)矽阻隔性(xìng)包裝薄膜性能的因素

蒸鍍基膜、蒸鍍方法、蒸鍍條件以及蒸鍍塗層的組成、蒸鍍層(céng)的厚度等(děng),都可能對蒸鍍型氧(yǎng)化矽阻隔性包裝薄(báo)膜的性能產生巨大的影響,主要可以列舉如下。www.y-jr.com南京丝瓜污视频精工阻隔膜生產線
1.基(jī)材的選擇性
如前所述,蒸鍍型氧化矽阻隔性包裝薄膜的阻隔性依靠(kào)於SiOx塗層,因此在蒸煮處理過程(chéng)中(zhōng),不能破壞該塗(tú)層。蒸鍍型氧化(huà)矽(guī)阻隔性包裝薄膜通常與其他(tā)薄膜複合,製造蒸煮薄膜,選擇蒸(zhēng)煮基材應當(dāng)注意如下幾個(gè)問題。



(1)塑料(liào)薄膜的類型

蒸鍍的氧化矽膜與塑料薄膜之(zhī)間的黏合牢度與塑料基膜種類之間有較大的關係,PET、PVC等極性較(jiào)大的薄膜與氧化矽間的黏合性較佳(jiā),而(ér)非(fēi)極性的薄膜(mó),與氧化矽(guī)間(jiān)的黏合力則比較差。


(2)塑料薄膜(mó)表麵狀態


蒸(zhēng)鍍型(xíng)氧化矽阻隔性包裝薄膜的阻隔(gé)性,除了受蒸鍍層的厚(hòu)度影響之外,更大程度上決定於氧化矽鍍層的均勻性(xìng)。裂縫、針孔等缺欠,會導致蒸鍍型氧化矽阻隔性(xìng)包裝薄膜的阻隔性明顯下降,缺陷的形成除了蒸鍍層(céng)本身的化學成分與結構之外,所用基膜的表麵平(píng)滑性(xìng),也是一個重要因素(sù),粗糙度越大,越(yuè)容易造成(chéng)蒸鍍缺陷,但適量的粗糙度會使蒸鍍層和基膜的表麵之間形成物理錨(máo)接(jiē),改善層間黏合力。


(3)塑料薄膜的(de)表麵預處理狀況


為了得(dé)到優質(zhì)的蒸鍍薄膜,對基膜進行適度的表麵電暈處(chù)理(lǐ)是十(shí)分必要的。塑料薄膜經過表(biǎo)麵電暈處理,可在其表麵形成氧化層(通過交聯、臭氧化、羧基化、硝基化等(děng)多種複(fù)雜的化學反應,將(jiāng)氧、氮等原子及(jí)原子團引(yǐn)入到塑料薄膜的表麵上),增大基膜與蒸鍍塗層(céng)之間的結合力。在預處(chù)理設備一定的情況下,如果預處理時間不足,表麵(miàn)改性不充分,將導致(zhì)基膜與塗層之間的結合牢度下降;預處理時間過長,可能(néng)引起基膜較深層(céng)次的界麵弱化,產生基膜自(zì)身的弱界(jiè)麵(miàn)層,也會引起基材表麵和蒸鍍層間的結合力下降。
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2.蒸鍍工藝條件對蒸鍍型氧化矽阻隔性包裝(zhuāng)薄膜性(xìng)能的影響

不論采用物理蒸鍍或者化學蒸鍍,蒸(zhēng)鍍工藝(yì)條件都可(kě)能(néng)對蒸鍍型氧化矽阻隔性包裝薄膜的性(xìng)能產生顯著的影響,因此應當盡可能采用有(yǒu)利於提高蒸鍍薄膜阻隔性的(de)工藝條件。


(1)采(cǎi)用物(wù)理蒸鍍時,

真空度的高低、基材薄膜的溫度、電子槍的功率、蒸鍍(dù)原料SiO2的形狀、真空室中氧氣導入的速度、蒸鍍塗層的(de)厚度(決定於蒸鍍時間(jiān)與蒸發功率)等均會影響最終產(chǎn)品(pǐn)的性能。


①蒸鍍時(shí)真空(kōng)度越高,越有利於SiO2的(de)蒸發,製得的蒸鍍(dù)膜的質量越高(gāo)。


②蒸(zhēng)鍍時塑料基膜的溫度高,有利於蒸發的SiO,在塑料基膜上沉積、形成致密的塗(tú)層並有(yǒu)利(lì)於提高蒸鍍層與塑(sù)料基膜(mó)間的黏結度,因此適(shì)當提高塑料基膜的溫(wēn)度,有利於提高蒸鍍薄膜的(de)質量。


③采用電子槍轟擊、蒸發SiO2時,宜使用塊狀的SiO2,因為粉狀的SiO2在受電子(zǐ)槍轟擊時(shí),易產生粉末濺射現象,影響蒸鍍膜的質量(liàng),而粉狀SiO2則有利於電阻加熱蒸發。


④氧氣的導入速度影響蒸鍍層的組成,即SiOx中Si原子數(shù)與0原子數的比值,氧的量越大,即x的值越大,蒸鍍層向透明(míng)性提高的方向(xiàng)移動(dòng),但阻隔性有降低的趨勢。當x等於2時,得到(dào)阻隔(gé)性能差(chà)的、無色透明的蒸鍍層,通常x控製在1.5~1.8之間以獲得兼(jiān)具高阻隔性及良好透明性的蒸鍍氧化矽薄膜。www.y-jr.com南京丝瓜污视频精工阻隔膜生產線


蒸鍍層的厚度增加,蒸鍍(dù)膜的(de)阻隔性增加,但當蒸鍍層的(de)厚度超過50nm時,蒸鍍層的厚度再進一步增大,蒸鍍膜的阻隔性基本保持不(bú)變,因(yīn)此不(bú)能指望依靠降低(dī)生產線的線(xiàn)速度(增加蒸鍍時間)、增(zēng)加(jiā)蒸鍍層的厚(hòu)度(dù)的辦法,無限度地提高蒸鍍薄膜的阻隔性。


(2)化學蒸鍍(dù)中,高頻電磁波或微波頻率的選擇,應與離子化氣氛中的離子化能量以(yǐ)及蒸鍍材料離子化所需(xū)要的能量相(xiàng)匹配,高頻電磁(cí)波一般選用13.56MHz,微(wēi)波一般選用2.45MHz,真空度在10-2Pa左右(yòu)即可獲得優良的蒸鍍效果,而物理蒸鍍時則需(xū)要更高的真(zhēn)空度,即10-2~10-3Pa或者更高的真空度(dù)。



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