蒸鍍氧化矽型（xíng）阻（zǔ）隔性包裝（zhuāng）薄膜的製備方法（fǎ）有物理蒸鍍（PVC)和化學蒸鍍（CVC)兩大類。根據具體實施方法的（de）不同，又有如下種種（zhǒng）方法。阻隔（gé）膜生產設備（bèi）

1.物理蒸鍍
物理蒸鍍亦稱物理（lǐ）氣相沉積（jī）法，包括電阻絲蒸鍍、電（diàn）子束蒸鍍以及濺（jiàn）射等。其中電阻式蒸鍍和電子束蒸鍍需在高溫下使SiO2汽化，而濺射沉積應用單元素靶材濺射，具有（yǒu）沉積溫度低（dī）、沉積速率高、靶材不受限製、鍍膜質量好的
優點。

（1)電阻絲蒸（zhēng）鍍法

電阻絲蒸（zhēng）發（fā）鍍法是在真空室（shì）中，用電阻絲加熱SiO2,溫度可達1700℃,高（gāo）溫及（jí）真空使SiO2以（yǐ）原（yuán）子或分子的形態從其表（biǎo）麵汽（qì）化逸出，形成蒸氣流，該（gāi）蒸氣流在基（jī）材表麵沉積，形成（chéng）含SiOx鍍層的阻隔性包（bāo）裝薄（báo）膜。

（2)電子束蒸發（fā）鍍膜法

電子束蒸發鍍膜法是將 SiO2放入水（shuǐ）冷銅坩堝中，直接利用電子束加（jiā）熱，使之（zhī）蒸發汽化，然後凝結在基材的表麵上形成含（hán）SiOx鍍層的阻隔性包裝薄膜。電子束轟擊熱源的束流密度（dù）高，能獲得遠比電阻加熱源更大的（de）能量（liàng）密度，蒸發溫（wēn）度高（gāo）（電子束加熱能量達20kW/c㎡,溫度更可達3000~6000℃),因而特別適合（hé）製作高（gāo）熔點薄膜類材料和高純薄（báo）膜材料，而（ér）且能有較高（gāo）的蒸發速度。由於（yú）熱量（liàng）可直接加到蒸鍍材料的（de）表麵，因而熱效率高，熱傳導和熱（rè）輻射的（de）損失少，所生（shēng）產的SiOx阻（zǔ）隔性（xìng）包裝薄膜的阻隔性，較之電阻絲蒸鍍法生產（chǎn）的產品，也有顯著提高。

（3)濺射法

濺射法亦（yì）稱磁控濺射法或高速低溫濺射法。用單元素靶材濺射並倒入（rù）反應氣體進行的反應（yīng）稱為反應濺射，通過調節沉積工（gōng）藝參數，可以製備化學配（pèi）比或（huò）非化學（xué）配（pèi）比的化合物薄膜，從而達到通（tōng）過調（diào）節薄膜鍍層的組成來調控薄膜特性的目的。磁控濺射法與（yǔ）蒸（zhēng）發法相比，具有鍍膜層（céng）與基（jī）材的結合力強、鍍膜層致密、均勻等優點。磁控濺射的其他優點（diǎn）有設備簡單、操作方便等，在濺射鍍（dù）膜過程中，隻要保持工作（zuò）氣（qì）壓和（hé）濺射功率恒（héng）定，基本上即（jí）可獲得穩定的沉積（jī）速率。最大缺點（diǎn）是沉積速率相對較低，此外可能（néng）發生（shēng）靶中毒、引起的打火和濺射（shè）過程（chéng）不穩定以及（jí）膜的缺陷（xiàn）等，這些限製了它（tā）的應用，因此尚有待進一（yī）步改進。

2.化學蒸鍍（PECVD)
化學蒸鍍亦稱等離子體增強（qiáng）化（huà）學氣相沉積或等（děng）離子體聚合氣（qì）相沉積，是利用等離子體手段產生電子、離子及活性基團（tuán），在氣態或基體表麵進行化學反應。等離子體（tǐ）增強化學氣相沉積技術（shù），利用射頻（RF)電源產生輝光放電（射頻電源放電方式可以設置為（wéi）連續放電方式或脈衝放電方式）或者微波（MW)放電來（lái）離解反應氣體，形（xíng）成（chéng）等離子體，等離子體與（yǔ）基膜表麵發生相互作用並沉積成（chéng）膜。穀吉（jí）海等曾（céng）在包（bāo）裝工程（chéng）中，對PECVD蒸鍍技（jì）術的原理、特點和應用及陶瓷膜蒸鍍技術的發展趨勢進行了展望（wàng）。

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