蒸鍍氧（yǎng）化矽型阻隔性包裝薄膜（mó）的製備方法有物理蒸鍍（PVC)和化學蒸鍍（CVC)兩大類。根據具體（tǐ）實施方法（fǎ）的不同，又有如下種種方法。阻隔（gé）膜生產設備

1.物理蒸鍍
物（wù）理蒸鍍亦（yì）稱（chēng）物理氣相沉積法，包括電阻絲蒸鍍、電子束蒸鍍以及濺射等（děng）。其中電阻（zǔ）式蒸鍍和（hé）電子束蒸（zhēng）鍍需在高溫下使（shǐ）SiO2汽化，而（ér）濺射沉積應用單元素靶材（cái）濺射，具有沉積溫度低、沉積速率高、靶材不受限製、鍍膜質量好的
優點。

（1)電阻絲蒸（zhēng）鍍法

電（diàn）阻絲蒸（zhēng）發鍍法是在真（zhēn）空室中，用電阻絲加熱SiO2,溫度可達1700℃,高溫及真空使SiO2以原子或分子的形態（tài）從其表麵汽化逸（yì）出，形成蒸氣流，該（gāi）蒸氣流在（zài）基材表麵（miàn）沉積，形成含SiOx鍍（dù）層的阻（zǔ）隔性包裝薄膜。

（2)電子束蒸發鍍膜法

電子束蒸發鍍膜法是將 SiO2放入水冷銅坩堝中，直接利用電子束加熱，使之蒸發汽化，然後凝結在基材的表麵上形成含SiOx鍍層的阻隔性包裝薄膜。電子束轟擊熱源的束流密度高，能獲得遠比電阻加熱源更大的能量（liàng）密度，蒸發溫度高（電子束加熱能（néng）量達20kW/c㎡,溫度更可達3000~6000℃),因（yīn）而特別適（shì）合製作高熔（róng）點（diǎn）薄膜類材（cái）料和（hé）高純薄膜材料，而且能有較高的蒸發速度。由於熱量可直接加到蒸鍍材料的表麵，因而熱效率高，熱傳導和熱輻射的損失少，所生產的SiOx阻隔性包裝薄膜的阻隔性，較之電阻絲蒸鍍法生產的（de）產品，也有顯著提高。

（3)濺射法

濺射法亦稱磁控濺射法或高速（sù）低（dī）溫（wēn）濺射法。用單元素（sù）靶（bǎ）材濺射並倒入反應氣體進行的反應稱為反應濺（jiàn）射，通過調節沉（chén）積工藝參數，可以製（zhì）備化學配比或非化學配比的化合物薄膜，從而達到通過調節薄膜鍍（dù）層的組成來調控薄膜特性的目的。磁控濺射法與蒸發法相比，具有鍍膜（mó）層與基材（cái）的結合力強、鍍膜層致密、均勻等優點（diǎn）。磁控濺射的其他優點有設備簡單、操作方便等（děng），在（zài）濺射鍍膜過程中，隻要保持工作氣壓和濺射功（gōng）率恒定，基本上即可獲得穩定的沉積速率。最大缺點是沉積速率相對較低（dī），此外可能發生靶中毒、引起的打火和濺射（shè）過程不穩定以及膜的缺陷等，這些限製了它的應用，因此尚有待進一步改進。

2.化學蒸（zhēng）鍍（PECVD)
化學蒸鍍亦（yì）稱等離子體增強化學氣相沉（chén）積或等離子體聚合氣相沉積，是利用等離子體手（shǒu）段產生電子（zǐ）、離子及活性基團，在氣態或基（jī）體（tǐ）表麵進行化學反應。等離子體（tǐ）增強化學氣相（xiàng）沉（chén）積（jī）技術，利用射頻（RF)電源產生輝光放電（射頻電源放電方式可以設置為連續放電方式或脈衝放電方（fāng）式）或者微波（MW)放（fàng）電來離解反應氣體，形成（chéng）等（děng）離子體，等離子體與基膜表麵發生相互作用並沉積成膜。穀吉海等曾在包裝工程中，對PECVD蒸鍍技術的原理、特點和應用及陶瓷膜蒸鍍技術的發展趨勢（shì）進行了展望。

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