一、影響蒸鍍型氧（yǎng）化矽阻隔性包裝薄膜性能（néng）的因素（sù）

蒸鍍基膜、蒸鍍方法、蒸鍍（dù）條件以及蒸鍍塗層（céng）的組成、蒸鍍層的厚度等，都可能對蒸（zhēng）鍍型氧化（huà）矽阻隔性包裝薄膜的性（xìng）能產生巨大的影響。

1.基材的選擇性
如前所述，蒸鍍型氧化矽阻隔性包裝薄膜（mó）的阻隔性依靠於SiOx塗層，因此在蒸煮處理過程中，不能破壞該塗層。蒸鍍型氧化矽阻隔性包裝薄膜通常與其他薄膜（mó）複合，製造蒸煮（zhǔ）薄膜，選擇蒸煮基材應當注意如下幾個問題。

（1)塑（sù）料薄膜的類型

蒸鍍的氧化矽膜與塑料（liào）薄膜之間的黏合牢（láo）度與塑料基膜種類之間有較（jiào）大的關係，PET、PVC等極性較大的薄膜與氧化矽間的黏合性較佳，而非極性的薄（báo）膜，與氧化矽間的黏合力則比較差。

（2)塑料薄（báo）膜表麵狀態（tài）

蒸鍍型氧化矽阻隔性包裝薄膜的阻隔性，除了受蒸鍍層的厚度影（yǐng）響之外，更大程度上決（jué）定於氧（yǎng）化矽鍍層（céng）的均勻性。裂（liè）縫、針孔等缺欠，會導致蒸（zhēng）鍍型氧化矽阻隔性包裝薄膜（mó）的阻隔性（xìng）明顯下降（jiàng），缺陷的形成除了蒸鍍層本身的化學成（chéng）分與結構（gòu）之外，所用基膜（mó）的表麵平滑（huá）性（xìng），也是一個重要因素，粗（cū）糙度越大，越（yuè）容易造成蒸鍍缺陷，但適量的粗糙度會使蒸鍍層和（hé）基膜的（de）表麵之間形（xíng）成物（wù）理錨（máo）接，改善層間黏合力。

（3)塑（sù）料（liào）薄膜的表麵預處理狀況

為（wéi）了得到（dào）優質的蒸鍍薄膜，對基膜進行適度的表麵電暈處理是十分必要的。塑料薄膜經過表麵電暈處理，可在其表麵形成氧化層（通過（guò）交聯、臭氧（yǎng）化、羧基化（huà）、硝（xiāo）基化（huà）等多種複雜的化學反應（yīng），將氧、氮等原子及原子團引入到（dào）塑料薄膜（mó）的表麵上（shàng）），增大基膜與蒸鍍塗（tú）層之（zhī）間的結合力。在預處理設備一定的情（qíng）況下，如果預處理時間不足（zú），表麵改性（xìng）不充分（fèn），將導致基膜與塗層之間的結合牢度下降；預處理（lǐ）時間過長，可能引起基（jī）膜較深層次的界麵弱化，產生基膜自身的弱界麵層，也會引起基材表麵和蒸鍍層間的結合力下降。

2.蒸鍍工藝條件對蒸鍍型氧化矽（guī）阻隔性包（bāo）裝薄膜性能的影響

不論采用物理蒸（zhēng）鍍或者化學蒸鍍，蒸鍍工藝條件都可能對蒸鍍（dù）型氧化矽阻隔（gé）性包裝薄膜的（de）性能產生（shēng）顯著的影響，因此應（yīng）當盡可能采用有利於提高蒸鍍薄膜（mó）阻隔性的工藝條件。

（1)采用物理（lǐ）蒸鍍時，

真空度的高（gāo）低、基材薄膜的溫度、電子槍的功率、蒸鍍原料SiO2的形狀、真空室中氧氣導入的速度、蒸鍍塗層（céng）的厚度（決（jué）定（dìng）於蒸鍍時間與蒸發功率）等均會影響最終產品的性能。

①蒸鍍時真空度越高，越有利（lì）於SiO2的蒸發，製得的蒸鍍膜的質量越高（gāo）。

②蒸鍍時塑料基膜的溫度高，有利於蒸發的SiO,在塑料基膜上沉積、形成致密的塗層並有利於（yú）提高（gāo）蒸鍍層與塑料基膜間的黏結度，因此（cǐ）適當（dāng）提高塑料基膜的溫度（dù），有（yǒu）利於提高蒸鍍薄膜的質（zhì）量（liàng）。

③采（cǎi）用電（diàn）子（zǐ）槍轟擊、蒸發SiO2時，宜使用塊狀的SiO2,因（yīn）為粉狀的SiO2在受電子槍轟擊時，易產生粉（fěn）末濺射現象，影響蒸鍍膜的質量，而粉狀SiO2則有利於電阻加熱蒸（zhēng）發。

④氧氣（qì）的導入速度影（yǐng）響蒸鍍層的（de）組成，即SiOx中Si原子數與0原子數的比值，氧的量越大，即x的值越大，蒸鍍（dù）層向透明性提高的（de）方向（xiàng）移動，但阻隔性有降（jiàng）低的（de）趨勢。當x等於2時，得到阻隔性能差的、無色透（tòu）明的蒸（zhēng）鍍層，通常x控製在1.5~1.8之間以獲得兼具高阻隔性及良好透明性的蒸（zhēng）鍍氧化矽薄膜。

蒸鍍層的厚度增（zēng）加，蒸鍍膜的阻（zǔ）隔性增加，但當蒸鍍（dù）層的厚度超過（guò）50nm時，蒸鍍層的厚（hòu）度（dù）再進一步增大，蒸鍍膜的（de）阻隔性基本保持不變，因此不能指望依靠降低生產線的線速（sù）度（增（zēng）加（jiā）蒸鍍（dù）時間）、增加蒸鍍層的厚度的辦法，無限（xiàn）度地提高蒸鍍薄膜（mó）的阻隔性。

（2)化學蒸鍍中，高頻（pín）電磁波或微波頻率的選擇，應與離子化氣氛中的離子化能量以及蒸（zhēng）鍍材料離子（zǐ）化所需要的能量（liàng）相匹配，高頻電磁（cí）波一般選用13.56MHz,微波（bō）一般選用2.45MHz,真（zhēn）空度在10-2Pa左右即可（kě）獲得優良的蒸鍍效果，而物理蒸鍍時則需要更高的真空度，即10-2~10-3Pa或者更高的真空度。

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